Número de Producto del Fabricante:
TSM220NB06LCR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM220NB06LCR RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventario:
3179 Pcs Nuevos Originales En Stock
12895343
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ENVIAR
TSM220NB06LCR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1314 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5.2x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Número de producto base
TSM220
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM220NB06LCRRLGDKR
TSM220NB06LCRRLGTR
TSM220NB06LCRRLGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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